Photovoltaik-Diffusion

Photovoltaik

Be- und Entladung Diffusionsanlagen

 

 

 

 

Die positiv leitenden Wafer werden in einem Diffusionsofen mit phosphorhaltigem Gas behandelt. Bei Ofentemperaturen von ca. 800-900°C diffundieren Phosphoratome in die Oberfläche des Wafers. Es entsteht eine Umdotierung zu einer negativ leitenden Oberflächenschicht. Der Wafer hat danach zwei verschiedene Schichten: die negativ leitende Oberfläche und eine darunter liegende positv leitende Schicht.

 
Das Wafer Handling Diffusion erreicht je nach Spezifikation einen Durchsatz von bis zu 8000 Wafern/h bei niedrigsten Bruchraten.

 

Das System kann an ein MES sowie an ein vollautomatisches Tranport- und Verkettungssystem angebunden werden.

 


Modulare Konfiguration z.B.:
  • Materialzuführung über Carrier, Magazine oder Boxen
  • Optionale back-to-back, half pitch Beladung (Jonas & Redmann Patent): bis zu 1000 Wafer pro Boot möglich
  • Optionaler Bootwechsler zur Erhöhung des Durchsatzes um bis zu 20%
  • Optionale TWIN Anordnung - für signifikante Produktivitätssteigerung und Automatisierung von zwei batch Diffusionsanlagen mit einer WHD
  • stand-alone Konfiguration ermöglicht automome Be- und Entladung von Prozessbooten, unabhänging vom Prozessequipment

 

Downloads:

 

Sprechen Sie mit unseren Experten! Gern beraten wir Sie in allen Fragen zu unserem Wafer Handling Diffusion.